特許

J-GLOBAL ID：200903014362437799

半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ

発明者： 木田 隆広 ,  宮崎 誠一 ,  西村 和彦 ,  林 伸之 ,  新井 克典
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128550
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324081
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】アルカリエッチングを行ったウエーハを研磨するに際し、ウエーハ外周部のリング状のダレのないウエーハを製造することのできる半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ外周部のリング状のダレのないウエーハを提供する。【解決手段】原料ウエーハの裏面の面取り部境界の面内側の一部まで鏡面研磨されるように裏面部分研磨及び鏡面面取りを行う裏面部分研磨鏡面面取り工程と、裏面部分研磨及び鏡面面取りされたウエーハの裏面を支持し該ウエーハの表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを有するようにした。

請求項（抜粋）：

原料ウエーハの裏面の面取り部境界の面内側の一部まで鏡面研磨されるように裏面部分研磨及び鏡面面取りを行う裏面部分研磨鏡面面取り工程と、裏面部分研磨及び鏡面面取りされたウエーハの裏面を支持し該ウエーハの表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  B24B 9/00 601 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 621 E ,  B24B 9/00 601 H ,  B24B 37/04 Z

Fターム (5件)：

3C049AA03 ,  3C049CB01 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高平坦度ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-039879   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083831   出願人：イビデン株式会社