特許
J-GLOBAL ID：200903014370535457
処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152196
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321470
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハに対して高い面内均一性でCVD等の熱処理やエッチングを行うと共に、狭い設置面積で高いスル-プットの得られる処理装置を提供すること。【構成】 チャンバユニット収納部2の複数段の載置棚20に、1枚または2枚の熱処理またはエッチングを行える枚葉式の処理チャンバユニット1をガイドレ-ル21に沿って着脱できるように設けると共に、チャンバユニット収納部2に隣接して、各処理チャンバユニット1に共通のロ-ドロック室4、5を設ける。処理チャンバユニット1は、ロ-ドロック室4、5側のウエハ搬送口と着脱自在に気密に接続する接続部と、チャンバユニット収納部2側のガス配管、用力線に対して着脱自在に接続できる接続部とを備えている。
請求項（抜粋）：
複数段の載置部を有する基枠部と、1枚または2枚の被処理基板に対して処理ガスにより熱処理あるいはエッチングを行なうように構成され、前記載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の枚葉式処理チャンバユニットと、前記基枠部側に設けられ、前記処理チャンバユニットに着脱自在に気密に接続されるロ-ドロック室と、を備えたことを特徴とする処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/68
H01L 21/205
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/31 A
, H01L 21/68 A
, H01L 21/302 B
