特許

J-GLOBAL ID：200903014372503242

高周波集積回路

発明者： 小浜 一正
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298955
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114618
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】 高周波集積回路の入出力に静電保護素子として電界効果トランジスタを設け、優れた高周波特性とESD耐圧も大きくする静電保護素子付き高周波集積回路を提供する。【解決手段】 入出力端子を有する高周波回路11と、化合物半導体基板上に形成され、前記高周波回路に設けられ、入出力端子の一方の端子が前記入出力端子に接続され、他方の端子が第1の基準電位に接続され、ゲートが抵抗14を介して第2の基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタ13とを有し、入出力端子からノイズや高圧パルスが印加されたとき、電界効果トランジスタ13を低インピーダンス化しESD保護を行うようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入出力端子を有する高周波回路と、 化合物半導体基板上に少なくとも一部が前記高周波回路と一体的に形成され、入出力端子の一方の端子が前記入出力端子に接続され、他方の端子が第1の基準電位に接続され、ゲートが抵抗を介して第2の基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと を有する高周波集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823

FI (3件)：

H01L27/04 H ,  H01L29/80 P ,  H01L27/06 F

Fターム (14件)：

5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GJ05 ,  5F102GQ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaAsFET保護電源回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-168105   出願人：日本電気エンジニアリング株式会社
• 高速集積回路のための分散型ESD保護デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-544104   出願人：ザボードオブトラスティーズオブザリーランドスタンフォードジュニアユニバーシティ