特許
J-GLOBAL ID:200903014384427290

発熱反応を利用したポリシリコンの調製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-294703
公開番号(公開出願番号):特開2004-043301
出願日: 2003年08月18日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】 従来の加熱方法の限界を克服することによって、ポリシリコンを効率的に調製する単純で改良された方法を提供することであり、より詳細には、反応領域にあるシリコンのまさに表面で、または析出が生じる反応領域の近傍の反応器内で熱を発生させることによって反応器に直接熱を供給する方法を提供すること。【解決手段】 シランガスを含む反応ガスの熱分解または水素還元によってポリシリコンを調製する方法であって、該反応ガスに加えて反応器内に塩化水素を導入する工程、および該塩化水素の発熱反応から発生する反応熱を該反応器内において利用する工程を包含する、方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
反応器中の芯棒の表面上にシリコンを析出することによって棒の形状のポリシリコンを調製するための方法であって、以下: ハロゲン含有シランガスを含む反応ガスを該反応器に導入する工程; 該反応器に該反応ガスに加えて塩化水素を導入する工程; 該塩化水素の発熱反応から発生する反応熱を該反応器内で利用する工程;および 約600°Cから1,200°Cの範囲の温度に該芯棒の該表面を維持する工程、 を含む、方法。
IPC (1件):
C01B33/035
FI (1件):
C01B33/035
Fターム (12件):
4G072AA01 ,  4G072BB03 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH08 ,  4G072JJ14 ,  4G072NN15 ,  4G072NN17 ,  4G072RR28 ,  4G072UU02
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-302027
  • 特開昭58-084111
  • 特開平4-362092
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