特許
J-GLOBAL ID：200903014415695140
半導体ウェ-ハのウェット処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208457
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 処理槽から超純水を吐出する際に、流速、流量の減少が生じるため、ウェット処理装置の1回のウェーハ処理における処理時間が長くなる。【解決手段】 半導体ウェーハのウェット処理方法において、ウェーハの処理開始から終了までの間に、処理槽に供給する処理液の濃度を経時的に低下させ、所望の処理終了時には前記処理液濃度をゼロとし、その後、前記処理槽内にて超純水による前記ウェーハのリンスを行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハのウェット処理方法において、ウェーハの処理開始から終了までの間に、処理槽に供給する処理液の濃度を経時的に低下させ、所望の処理終了時には前記処理液濃度をゼロとし、その後、前記処理槽内にて超純水による前記ウェーハのリンスを行うことを特徴とする半導体ウェーハのウェット処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 642
, H01L 21/304 648
, H01L 21/304
H01L 21/304 642 A
, H01L 21/304 648 F
, H01L 21/304 648 K
