太陽電池用シリコン基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144616
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327488
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】出発原料金属シリコン中の不純物濃度を所望の濃度レベルまで効率的に除去することで、セル効率が高く、低コストで高品質な太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供する。【解決手段】高純度金属シリコンを真空下で電子ビーム溶解して、P、Al、Ca等の揮発性不純物を蒸発・除去した後、凝固粗精製でFe,Ti等の重金属不純物の濃縮部を切断・除去し、得られたインゴットを破砕・洗浄して粗精製原料とし、次いで、この粗精製原料を酸化性雰囲気下でプラズマ溶解し、B、C等の不揮発性不純物を酸化物として蒸発・除去した後、凝固仕上げ精製でFe,Ti等の重金属不純物の濃縮部を切断・除去し、精製されたインゴットをスライスして高品質太陽電池用シリコン基板を得る。

請求項（抜粋）：

高純度金属シリコンを真空下で電子ビーム溶解して、P、Al、Ca等の揮発性不純物を蒸発・除去した後、凝固粗精製でFe,Ti等の重金属不純物の濃縮部を切断・除去し、得られたインゴットを破砕・洗浄して粗精製原料とし、次いで、この粗精製原料を酸化性雰囲気下でプラズマ溶解し、B、C等の不揮発性不純物を酸化物として蒸発・除去した後、凝固仕上げ精製でFe,Ti等の重金属不純物の濃縮部を切断・除去し、精製されたインゴットをスライスすることを特徴とする太陽電池用シリコン基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 501 , H01L 31/04

FI (2件)：

C30B 29/06 501 Z , H01L 31/04 X

Fターム (13件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CE02 , 4G077CE04 , 4G077EC02 , 4G077EC10 , 4G077EG01 , 4G077EJ03 , 4G077FG11 , 4G077HA12 , 5F051AA01 , 5F051CB01 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭56-032319
特開昭56-032319
太陽電池用シリコンの精製方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-077971 出願人：川崎製鉄株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

太陽電池技術開発動向
太陽電池技術開発動向
太陽電池技術開発動向

前のページに戻る