特許

J-GLOBAL ID：200903014456188725

単結晶の切断方法

発明者： 大見 忠弘 ,  須川 成利 ,  篠原 壽邦 ,  伊藤 辰夫 ,  金谷 晃一
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210192
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025949
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 レーザー加工を用いてシリコン単結晶を切断する切断方法において、良好な切断面を得るとともに切断ロスを極めて少なくして単結晶を加工する。【解決手段】 単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスをノズル304により切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを301照射して単結晶を切断する。

請求項（抜粋）：

単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスを切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを照射して単結晶を切断することを特徴とする単結晶の切断方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 611 ,  B23K 26/00 320

FI (2件)：

H01L 21/304 611 Z ,  B23K 26/00 320 E

Fターム (3件)：

4E068AE01 ,  4E068CJ01 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン基板の切断加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-103111   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特公平3-061634
  
• 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-220320   出願人：日本碍子株式会社
• 特許第2536588号