特許
J-GLOBAL ID：200903014459827729
薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299797
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135495
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 青板ガラスの軟化温度以下の低温で且つ簡単な製造方法により、Ga濃度が任意に制御され且つ開放電圧の大なる薄膜光吸収層を作製すること。【解決手段】 青板ガラス基板2上に裏面電極3を形成した後、これを処理部21で該裏面電極層3上に、ターゲット?@、?A及び?Bを用いて、Cu-Ga合金層及びIn単独層から成る積層プリカーサー膜をスパッタリング法により作製し、これをセレン及び/又は硫黄雰囲気中で熱処理して光吸収層を作製する。
請求項（抜粋）：
金属裏面電極層上にCu-Ga合金層及びIn層の積層プリカーサー膜をスパッタリング法により作製し、これをセレン及び/又は硫黄雰囲気中で熱処理することにより、Cu-III -VI2 族カルコパイライト系多元化合物半導体の光吸収層を作製する方法のうち、前記Cu-Ga合金層及びIn層の積層プリカーサー膜が、金属裏面電極層側からCu-Ga合金層、In層の順序でスパッタリング法により作製し、界面層(バッファー層)側から金属裏面電極層側への薄膜光吸収層内部でのGa濃度勾配が徐々(段階的)に増加することを特徴とする薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法。
引用特許：
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