特許

J-GLOBAL ID：200903014471459107

回路基板の製造方法

発明者： 藤嶋 昭 ,  橋本 和仁
出願人/特許権者： 藤嶋 昭 ,  橋本 和仁
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-139403
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061619
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 表面の滑らかな、あるいは純度の高いセラミックス又はガラス基板を金属化し、電子機器用の基板材料を安価に製造する。【構成】 セラミックス又はガラス基板の全面あるいは一部に酸化亜鉛層を形成し、無電解メッキの触媒となる金属の金属塩を溶かした溶液と接触させた時、酸化亜鉛の溶解反応に並行して、前記金属塩中の金属イオンが、前記半導体の表面及び内部に取り込まれるという現象を利用し、これを銅、ニッケル、銀、金、及び/または白金の無電解メッキ浴中に入れることにより、セラミックス又はガラス基板の表面に金属層を積層させる。

請求項（抜粋）：

セラミックス又はガラス基板の全面あるいは一部に酸化亜鉛層を形成し、無電解メッキの触媒となる金属の金属塩を溶かした溶液と接触させた時、酸化亜鉛の溶解反応に並行して、前記金属塩中の金属イオンが、前記半導体の表面及び内部に取り込まれるという現象を利用し、これを銅、ニッケル、銀、金、及び/または白金の無電解メッキ浴中に入れることにより、セラミックス又はガラス基板の表面に金属層を積層させることを特徴とした回路基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/18 ,  H01B 13/00 503 ,  C23F 1/44

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-047993
  
• 特開昭63-047993