特許

J-GLOBAL ID：200903014472913979

TMモード誘電体共振器、TMモード誘電体共振器装置及び高周波帯域通過フィルタ装置

発明者： 石川 容平 ,  日高 青路 ,  伊勢 智之 ,  松井 則文
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042823
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242109
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 従来例に比較して薄型で、無負荷Qの高いTMモード誘電体共振器及びTMモード誘電体共振器装置を提供する。【構成】 誘電体基板を一対の電極によって挟設したTMモード誘電体共振器において、一対の電極のうちの少なくとも一方は、薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層した薄膜積層電極であって、各薄膜誘電体の膜厚と誘電率を、薄膜導体と他方の電極とが誘電体基板を挟設した主TMモード共振器の電磁界と、薄膜誘電体を1対の薄膜導体が挟設した副TMモード共振器の電磁界とが同相となるように設定し、誘電体基板から最も離れて形成される薄膜導体以外の各薄膜導体の膜厚を、主TMモード共振器の電磁界と各副TMモード共振器の電磁界とが互いに結合するように共振周波数の表皮深さより薄く設定した。

請求項（抜粋）：

誘電体基板を所定の形状を有する一対の電極によって挟設して構成され、所定の共振周波数を有するTMモード誘電体共振器において、上記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極は、薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層することによって構成された薄膜積層電極にてなることを特徴とするTMモード誘電体共振器。

IPC (3件)：

H01P 7/10 ,  H01P 1/20 ,  H01P 3/18

FI (3件)：

H01P 7/10 ,  H01P 1/20 A ,  H01P 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高周波電磁界結合型薄膜積層電極、高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び高周波電磁界結合型薄膜積層電極の膜厚設定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310900   出願人：株式会社村田製作所