特許

J-GLOBAL ID：200903014495493560

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原田 充 ,  土屋 敏章
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078686
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】ソース/ドレイン用領域の双方から入力のある回路に用いた場合においても、回路構成を複雑にすることなく、基板浮遊効果を抑制することのできる SOIMISFET 及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、SOI(Silicon-On-Insulator)基板上に製造される金属絶縁物半導体電界効果トランジスタ(MISFET)において、チャネル領域に接し、かつ、ソース及びドレインに接しない活性領域中に、チャネル領域と同一伝導型の第1の領域と、ソース及びドレインと同一伝導型の第2の領域とを有し、これらの領域が電気的に相互に接続されてチャネル領域に対する電位固定作用を有するように構成されていることを特徴とする半導体装置とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

SOI 基板上に製造される金属絶縁物半導体電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域に接し、かつ、ソース及びドレインに接しない活性領域中に、チャネル領域と同一伝導型の第1の領域と、ソース及びドレインと同一伝導型の第2の領域とを有し、これらの領域が電気的に相互に接続されてチャネル領域に対する電位固定作用を有するように構成されていることを特徴とする半導体装置。