特許
J-GLOBAL ID：200903014497517512
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223920
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 i層内のp層側の界面近傍における光吸収を抑止することによって、応答周波数が高く且つ高調波歪を低減する半導体受光素子を提供する。【解決手段】半絶縁性基板16上に、n型InPから成るn+層18と、アンドープGaInAsから成るi層20と、炭素(C)をドープしたp型InP又はp型InGaAsから成るp+層22が積層されている。炭素(C)は拡散性が非常に低いためi層20にはほとんど拡散せず、i層20のp+層22との界面に空間電荷分布が発生しないので、i層内20での電界強度の低下に伴う応答周波数の低下を招来せず、実質的に応答周波数の向上及び出力信号の高調波歪の低減が実現される。
請求項（抜粋）：
不純物を高濃度で導入した第1導電型の第1の層と、入射光を吸収して正孔電子対を生成し且つ不純物を故意に導入していない第2の層とを有する半導体受光素子において、前記第1の層に、拡散性の低い不純物を用いることを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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