特許

J-GLOBAL ID：200903014557769001

半導体光素子及びその作製方法

発明者： 中川 清和 ,  西田 彰男 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039631
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252441
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は4族半導体のSi、Geからなる半導体光素子を提供することにある。【構成】 n型Si基板(11)上にn型Si0.7Ge0.3バッファー層(12)を臨界膜厚を越えて成長し、さらに意識的には不純物をドープしていないSi0.7Ge0.3バッファー層(13)を成長し、このバッファー層上に格子整合させてSi0.9Ge0.1層(14)、Si0.7Ge0.3層(15)、Si0.9Ge0.1層(16)、Si0.7Ge0.3層(17)、Si0.9Ge0.1層(18)、p型Si0.9Ge0.1層(19)、熱CVDSiO2膜(20)、電極(21)、電極(22)を形成し、半導体光素子を作製した。【効果】 電子をSi0.9Ge0.1層に、正孔をSi0.7Ge0.3層に蓄積することで、室温でフォノンを介在としない効率の良い半導体光素子を可能とすることができた。

請求項（抜粋）：

第1導電型Si基板と、上記第1導電型Si基板上に形成した第1導電型Si1-XGeXバッファー層と、上記第1導電型Si1-XGeXバッファー層上に格子整合させて交互にSi1-YGeYおよびSi1-ZGeZの層を繰り返し形成した多数層と、上記Si1-YGeYおよびSi1-ZGeZからなる多数層上に形成した第2導電型Si1-YGeY層とを有することを特徴とする半導体光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/10