特許
J-GLOBAL ID:200903014566509616
含フッ素成形体及び半導体製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
安富 康男
, 渡辺 みのり
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-425915
公開番号(公開出願番号):特開2005-178297
出願日: 2003年12月22日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 耐熱性を有し、ガス透過性が低減した含フッ素成形体を提供する。【解決手段】 含フッ素樹脂(a)からなる含フッ素樹脂成形層(A)と、無機膜(B)とからなる積層構造を有する含フッ素成形体であって、上記含フッ素樹脂(a)は、融点が230°C以上、フッ素含量が50質量%以上であるものであり、上記含フッ素成形体は、酸素の透過係数が5×10-8(cm3・cm)/(cm2・sec・MPa)以下であるものであることを特徴とする含フッ素成形体。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
含フッ素樹脂(a)からなる含フッ素樹脂成形層(A)と、無機膜(B)とからなる積層構造を有する含フッ素成形体であって、
前記含フッ素樹脂(a)は、融点が230°C以上、フッ素含量が50質量%以上であるものであり、
前記含フッ素成形体は、酸素の透過係数が5×10-8(cm3・cm)/(cm2・sec・MPa)以下であるものである
ことを特徴とする含フッ素成形体。
IPC (3件):
B32B27/30
, B32B1/08
, B32B9/00
FI (3件):
B32B27/30 D
, B32B1/08 Z
, B32B9/00 A
Fターム (20件):
4F100AA01B
, 4F100AA19B
, 4F100AA20B
, 4F100AA37B
, 4F100AK01C
, 4F100AK17
, 4F100AK17A
, 4F100AK17C
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100DA11
, 4F100EH66
, 4F100EH66B
, 4F100EJ61
, 4F100GB41
, 4F100JA04A
, 4F100JD03
, 4F100YY00
, 4F100YY00A
引用特許: