特許
J-GLOBAL ID:200903014566509616

含フッ素成形体及び半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 安富 康男 ,  渡辺 みのり
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-425915
公開番号(公開出願番号):特開2005-178297
出願日: 2003年12月22日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 耐熱性を有し、ガス透過性が低減した含フッ素成形体を提供する。【解決手段】 含フッ素樹脂(a)からなる含フッ素樹脂成形層(A)と、無機膜(B)とからなる積層構造を有する含フッ素成形体であって、上記含フッ素樹脂(a)は、融点が230°C以上、フッ素含量が50質量%以上であるものであり、上記含フッ素成形体は、酸素の透過係数が5×10-8(cm3・cm)/(cm2・sec・MPa)以下であるものであることを特徴とする含フッ素成形体。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
含フッ素樹脂(a)からなる含フッ素樹脂成形層(A)と、無機膜(B)とからなる積層構造を有する含フッ素成形体であって、 前記含フッ素樹脂(a)は、融点が230°C以上、フッ素含量が50質量%以上であるものであり、 前記含フッ素成形体は、酸素の透過係数が5×10-8(cm3・cm)/(cm2・sec・MPa)以下であるものである ことを特徴とする含フッ素成形体。
IPC (3件):
B32B27/30 ,  B32B1/08 ,  B32B9/00
FI (3件):
B32B27/30 D ,  B32B1/08 Z ,  B32B9/00 A
Fターム (20件):
4F100AA01B ,  4F100AA19B ,  4F100AA20B ,  4F100AA37B ,  4F100AK01C ,  4F100AK17 ,  4F100AK17A ,  4F100AK17C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100DA11 ,  4F100EH66 ,  4F100EH66B ,  4F100EJ61 ,  4F100GB41 ,  4F100JA04A ,  4F100JD03 ,  4F100YY00 ,  4F100YY00A
引用特許:
出願人引用 (4件)
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