特許

J-GLOBAL ID：200903014579865616

半導体素子の発熱分布計測方法

発明者： 廣瀬 文彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060326
公開番号（公開出願番号）：特開2001-249094
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 動作中の半導体素子の発熱温度分布(電力損失分布)を高精度に計測することができる半導体素子の発熱分布計測方法を提供する。【解決手段】 半導体素子動作中の電力損失の素子面内分布を評価するために半導体素子の主面における表面温度分布を計測する半導体素子の発熱分布計測方法において、計測対象となる半導体素子よりも熱容量が大きい物体、例えば金属板を半導体素子の裏面側に貼り付け、これにより動作中の半導体素子の全体を冷却しながら赤外線放射温度計を用いて半導体素子の主面における表面温度を計測する。

請求項（抜粋）：

半導体素子動作中の電力損失の素子面内分布を評価するために半導体素子の主面における表面温度分布を計測する半導体素子の発熱分布計測方法において、計測対象となる半導体素子よりも熱容量が大きい物体、例えば金属板を半導体素子の裏面側に貼り付け、これにより動作中の半導体素子の全体を冷却しながら赤外線放射温度計を用いて半導体素子の主面における表面温度を計測することを特徴とする半導体素子の発熱分布計測方法。

IPC (3件)：

G01N 25/20 ,  G01N 25/72 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

G01N 25/20 Z ,  G01N 25/72 G ,  G01R 31/26 G

Fターム (12件)：

2G003AA01 ,  2G003AB16 ,  2G003AD03 ,  2G003AH05 ,  2G003AH08 ,  2G040AB12 ,  2G040BA18 ,  2G040BA25 ,  2G040DA05 ,  2G040DA13 ,  2G040EB02 ,  2G040EB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体デバイス検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349269   出願人：アストロデザイン株式会社
• バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-082733   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 半導体ウェーハの温度試験装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103727   出願人：オリオン機械株式会社, 松下電器産業株式会社