特許
J-GLOBAL ID：200903014581313310
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167183
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211903
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】シリサイド電極を備えたMOS型半導体装置に関し、微細化されても十分良好なコンタクトを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン(Si)基板内のp型領域上に側壁絶縁物領域を備えた絶縁ゲート構造を形成する工程と、前記絶縁ゲート構造両側のソース/ドレイン領域となる領域に砒素イオンを5×1015cm-2未満のドーズ量でイオン注入する工程と、表面上にCo膜、TiN膜を積層する工程と、前記基板を加熱して前記Co膜と下地Si領域のサリサイド反応を行なわせる工程と、前記TiN膜を除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)基板内のp型領域上に側壁絶縁物領域を備えた絶縁ゲート構造を形成する工程と、前記絶縁ゲート構造両側のソース/ドレイン領域となる領域に砒素イオンを5×1015cm-2未満のドーズ量でイオン注入する工程と、表面上にCo膜、TiN膜を積層する工程と、前記基板を加熱して前記Co膜と下地Si領域のサリサイド反応を行なわせる工程と、前記TiN膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/46 T
