特許
J-GLOBAL ID：200903014603345700
GaN系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058733
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258302
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 発光層のIn組成比が小さくとも、従来より高出力の紫外線発光が可能なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板B1上にバッファ層B2を介してまたは直接的にGaN系結晶層からなる積層構造Sを形成し、GaN系半導体発光素子とするに際し、発光層(図1では、量子井戸構造2に含まれる井戸層)と結晶基板B1との間に位置するGaN系結晶層1のキャリア濃度が、該層の面拡張方向に不均一となるように、該層1を形成する。これによって、発光層のIn組成揺らぎが増長し、In組成比が低くとも、より高出力が得られる。
請求項（抜粋）：
結晶基板上にバッファ層を介してまたは直接的にGaN系結晶層からなる積層構造が形成された素子構造を有するGaN系半導体発光素子であって、該積層構造にはInGaN系発光層が含まれており、該発光層と結晶基板との間にはGaN系結晶層が存在し、該結晶層のキャリア濃度が該層の面拡張方向に不均一となっていることを特徴とする、GaN系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01S 5/323 610
H01L 33/00 C
, H01S 5/323 610
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA25
, 5F073DA35
