特許
J-GLOBAL ID：200903041383758460

窒化ガリウム系半導体装置

発明者：
布上 真也

布上 真也 について

, 
山本 雅裕

山本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124500
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】従来のGaN系半導体装置においては、基板と成長層の界面で発生した転位が、成長方向へ伝播しやすく、成長層表面まで達するために、大電流密度の注入により装置の信頼性を低下させるという問題があった。【解決手段】少なくとも活性層と基板との間に、周期的な凸部を有する界面を再成長により形成する。周期的な凸部を形成することにより、凸部側壁の成長が生じ、横方向への成長を積極的に利用することができる。この横方向への成長速度は、基板に対して垂直方向の成長速度より格段に速く、この界面において転位は横方向へ曲がる。このため、上部の層まで伝播する転位密度を低減することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された窒化ガリウム系半導体装置において、前記基板と前記窒化ガリウム系半導体装置との間に、凸部を備える転位伝播防止層を具備し、かつ前記凸部側壁には単結晶面が露出してなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (24件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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