プラズマCVD装置及び薄膜電子デバイス製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239661
公開番号（公開出願番号）：特開2000-073174
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】プラズマ制御が可能で膜質劣化もなく大面積化を図るようにしたプラズマCVD装置及び薄膜電子デバイス製造方法を提供する。【解決手段】真空容器1内のプラズマ生成電極を、高周波電力が供給される導体棒4Sと接地された導体棒4Gとが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子型電極としたものである。

請求項（抜粋）：

ガス導入系と排気系とが連通された真空容器内に、高周波電力供給手段に接続された電極とこの電極と対向して配置された基板とを有するプラズマCVD装置において、上記電極は、高周波電力が供給される導体棒と接地された導体棒とが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子型電極である、ことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/509 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/50 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

Fターム (26件)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045CA16 , 5F045DP04 , 5F045DP05 , 5F045DP25 , 5F045EF04 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH12 , 5F045EH20

引用特許：

出願人引用 (7件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-176188 出願人：株式会社リコー
特開昭62-130277
特開昭58-145100

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審査官引用 (5件)

特開平1-181513
特開昭58-145100
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156968 出願人：アネルバ株式会社

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