表面処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156968
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325759
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】【目的】大型の電極を使用する場合や高い周波数の高周波電力を使用する場合でも、プラズマ密度が不均一化することがなく、均一な表面処理が行えるようする。【構成】真空容器1内に配置された電極体3に複数の電力供給箇所で高周波電力を印加し放電用ガスを放電させてプラズマを生成する。電極体3はプラズマを生成する空間に対向した表面の周縁上の任意の二点のうちの最も距離の長い二点間の距離が高周波電力の波長の四分の一よりも長い形状であり、かつ、電極体3への複数の電力供給箇所は例えば中心対称状のように均等な位置に設定される。電極体3の表面インピーダンスによる損失が小さくかつ損失が均一になり、高周波電力の波長の影響によるプラズマの不均一性も生じないので、高い密度の均一なプラズマを得ることができる。

請求項（抜粋）：

排気系を備えた真空容器と、真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、真空容器内の所定の位置に配置された電極体と、この電極体に高周波電力を印加して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力印加機構とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電極体は、その前面即ちプラズマを生成する空間に対向した表面の周縁上の任意の二点のうちの最も距離の長い二点間の距離が、前記高周波電力の波長の四分の一よりも長い形状であり、かつ、前記電力印加機構による電極体への電力供給箇所は均等な位置に複数設定されていることを特徴とする表面処理装置。

IPC (7件)：

C23F 4/00 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7件)：

C23F 4/00 A , B01J 19/08 E , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 B , H05H 1/46 A , H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-209489 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平1-089316
基板表面電位測定方法及びプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-282724 出願人：アルプス電気株式会社, 大見忠弘

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