特許

J-GLOBAL ID：200903014619994864

半導体装置、固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 角 博文 ,  鈴木 亮司 ,  馬淵 圭司 ,  上野 貴久 ,  塩野 浩一 ,  米本 和也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028433
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 CMOS型の固体撮像素子における高い感度及び低い暗電流状態の確保を図る。【解決手段】 pn接合型のセンサ部311とスイッチングトランジスタ32を有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、センサ部311を構成する第2導電型半導体領域64のスイッチングトランジスタ32のゲート端付近又は/及び素子分離層63端付近に第1導電型半導体層71が構成されて成る。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基体上に絶縁膜を介して配線層が形成され、前記第1導電型半導体基体に、前記配線層を挟んで第2導電型の第1半導体領域及び第2半導体領域が形成され、前記第2導電型の第1半導体領域の前記配線層端付近又は/及び素子分離層端付近に第1導電型半導体層が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

Fターム (21件)：

4M118AA01 ,  4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  5C024AA01 ,  5C024CA10 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-248362   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070801   出願人：株式会社東芝