固体撮像装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070801
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274450
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】CMOS型固体撮像装置に於いて、低電圧でフォトダイオードの信号電荷を読み出すこと。【解決手段】第1導電型のPウェル11内部に、光電変換するための第2導電型のフォトダイオードn領域12が形成され、このフォトダイオードn領域12に一端が隣接してゲート電極15が形成され、このゲート電極15の他端に隣接して第2導電型のドレイン領域22が形成されている。そして、上記フォトダイオードn領域12の表面部には、上記ゲート電極の15一端から所定距離離間して第1導電型の第1の濃度を有するフォトダイオードp++領域13と、その一端がゲート電極15の一端に近接して他端がフォトダイオードp++領域13に接して第1導電型の第2の濃度を有したフォトダイオードp+ 領域18が形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上若しくはウェル内部に、光電変換するための複数の上記第1導電型とは反対の第2導電型のフォトダイオード領域と、このフォトダイオード領域に一端が隣接して形成されたゲート電極部と、このゲート電極の他端に隣接して形成された第2導電型のドレイン領域とを有する固体撮像装置に於いて、上記第2導電型のフォトダイオード領域の表面部で、上記ゲート電極の一端から所定距離離間して形成されるもので、第1導電型の第1の濃度を有した第1の領域と、上記第2導電型のフォトダイオード領域の表面部で、その一端が上記ゲート電極の一端に近接し、他端が上記第1の領域に接して形成されるもので、上記第1の領域とは濃度の異なる第1導電型の第2の濃度を有した第2の領域とを具備することを特徴とする固体撮像装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283070 出願人：シャープ株式会社
固体撮像装置のフォトセンサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-055137 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236075 出願人：株式会社日立製作所

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