特許
J-GLOBAL ID：200903014635252533
化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110026
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315271
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】LEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。【解決手段】内径が結晶2の径よりも大きく外径がるつぼ5の内径よりも小さいPBNからなる筒であって、赤外線透過率が筒全般に渡り20%以下である筒9を、引き上げる化合物半導体単結晶2の周囲に設置し、且つ、そのPBNからなる筒9の一端aが液体封止剤4中にあり、他端bが液体封止剤と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させた環境下で、化合物半導体単結晶2を成長する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され、加熱されたるつぼに、原料融液と液体封止剤を収納し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶とるつぼとを相対的に移動させて、化合物半導体単結晶を成長させるLEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、
内径が結晶径よりも大きく外径がるつぼ内径よりも小さいPBNからなる筒であって、赤外線透過率が筒全般に渡り20%以下である筒を、引き上げる化合物半導体単結晶の周囲に同軸上に設置し、且つそのPBNからなる筒の一端が液体封止剤中にあり、他端が液体封止剤と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させた環境下で、化合物半導体単結晶を成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B15/00
, C30B27/02
, C30B29/42
C30B15/00 Z
, C30B27/02
, C30B29/42
4G077AA02
, 4G077BE46
, 4G077CF10
, 4G077EG19
, 4G077EG20
, 4G077EG25
, 4G077EJ07
, 4G077PA13
, 4G077PA16
