特許
J-GLOBAL ID：200903014646618203

成膜方法

発明者：
坂間 光範

坂間 光範 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136211
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312970
出願日： 1997年05月10日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法による珪素膜の成膜時において、成膜開始時における放電の不安定性を排除し、ロット毎の膜厚を均一にする。【解決手段】 プラズマCVD法による非晶質珪素膜の成膜の際に、成膜開始前に水素ガスをチャンバー内に供給し、放電を起こさせる。この状態では成膜はまだ行われていない。そして放電が安定した段階で成膜用のガスであるシランをチャンバー内に供給する。そして同時に水素ガスの供給を停止する。そしてシランを安定した放電により分解し、非晶質珪素膜の成膜を行う。こうすると放電開始時の不安定性を排除することができる。常に放電が安定した状態で成膜を行うことができる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により珪素膜を成膜する方法であって、減圧チャンバー内に放電用の非珪化物気体を供給する第1の段階と、減圧チャンバー内に高周波エネルギーを供給し高周波放電を起こさせる第2の段階と、減圧チャンバー内に珪化物気体を供給すると同時に前記非珪化物気体の供給を停止させる第3の段階と、前記珪化物気体を高周波分解することで珪素膜を成膜する第4の段階と、を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46 M
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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