特許

J-GLOBAL ID：200903014647476607

工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング

発明者： ゴットリーブ・シュテファン・エールライン ,  デビッド・ヴェンダー ,  イン・チャン ,  マルコ・ハーウェルラーハ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048395
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037180
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、エッチング工程の間に、好ましくない皮膜がデバイスの内壁に付着するのを防止する、半導体デバイスをエッチングする方法およびデバイスを提供することにある。【構成】 エッチング・デバイスのためのシステムは、耐付着表面、エッチングされるデバイスを保持するためのホルダ、およびチェンバ壁面への皮膜の形成を妨害するため、耐付着表面を100ないし600°Cに加熱するヒータを備えたエッチング・チェンバを有する。このエッチング・デバイスはさらに、基板をエッチングするのに使用するプラズマを妨害することなく、ホルダを包囲する耐付着性の表面を含んでもよい。

請求項（抜粋）：

耐付着表面手段を有するエッチング・チェンバと、上記エッチング・チェンバ内にあり、上記耐付着表面手段に包囲された、デバイスを保持する手段と、上記エッチング・チェンバ内の皮膜形成を阻止するために、上記耐付着表面手段を100°Cないし600°Cの温度に加熱するための手段と、を具備する、好ましくない皮膜の付着を防止するプラズマ・エッチング・デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075733   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-016730
  
• 特開平4-316327
  
• 特開昭61-289634
  
• 特開平4-256316
  
• プラズマ装置およびこれを用いたドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326739   出願人：ソニー株式会社