特許
J-GLOBAL ID：200903014656896880
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-292893
公開番号（公開出願番号）：特開2008-109058
出願日： 2006年10月27日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】基板の一方面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】ウエハWの上面10の中央部には、高温(たとえば、80°C)のAPMが供給され、下面11の中央部には、常温(たとえば、22〜23°C)のDIWが供給される。ウエハWの上面10にAPMが供給されると、ウエハWの上面10の中央部との間で熱交換が行われる。一方で、ウエハWの下面11に供給される低温のDIWは、熱交換によりウエハWの中央部に与えられた熱を受けて、ウエハWの中央部を冷却する。そして、熱を受けたDIWがウエハWの中央部から周縁部に向けて流れる。ウエハWの中央部および周縁部の温度は約40〜45°Cで拮抗する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理室と、
前記処理室に設けられ、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段により回転される基板の一方面の中央部に対して、前記処理室内の温度よりも高温の薬液を供給する薬液供給手段と、
前記基板保持回転手段により回転される基板の他方面の中央部に対して、前記薬液よりも低温の液を供給する低温液供給手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, H01L 21/306
, H01L 21/027
H01L21/304 643A
, H01L21/304 647
, H01L21/306 R
, H01L21/30 569
5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE10
, 5F043EE27
, 5F046JA02
, 5F046JA05
, 5F046JA08
, 5F046JA10
, 5F046LA04
, 5F046LA05
, 5F046LA06
, 5F046LA07
