特許

J-GLOBAL ID：200903014669457070

半導体装置

発明者： 高橋 邦博
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255634
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085650
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 電気的素子あるいはICが動作する時に発生する熱が、絶縁性物質を通って基板の単結晶Siに逃げやすくするようにする。【解決手段】 絶縁物の上にあり電気的素子あるいはICが形成される不純物濃度の薄い半導体層と、絶縁物の下にある不純物濃度の高い半導体層半導体層を設けた。の不純物濃度を異ならせた。

請求項（抜粋）：

絶縁物上の半導体層と絶縁物の下の半導体層が含む不純物濃度がそれぞれ異なる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (17件)：

5F110AA23 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ04 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162316   出願人：日本電気株式会社