半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162316
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032040
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】完全空乏化型SOIトランジスタのしきい値電圧のSiO2 層下部に存在するシリコン基板の電位変化に対する変動を防止することにある。【構成】本発明のSOI型半導体装置は、SiO2 層2とシリコン基板1との界面近傍の所望の位置に、1×1017cm-3という比較的濃度の高い不純物拡散領域11や38を有する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上に形成された絶縁体薄膜と、この絶縁体薄膜上に形成されたシリコン薄膜とを有する構造を有する基板を備えた半導体装置において、前記シリコン基板は少なくとも一種類の不純物元素を含有し、かつかかる不純物元素の濃度が1×1017cm-3以上である事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-271330 出願人：富士通株式会社
特開平3-119764
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-144639 出願人：三菱電機株式会社

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