特許

J-GLOBAL ID：200903014675942710

磁気記憶装置

発明者： 上 田 知 正 ,  高 橋 茂 樹 ,  天 野 実 ,  岸 達 也 ,  斉 藤 好 昭 ,  西 山 勝 哉 ,  與 田 博 明 ,  浅 尾 吉 昭 ,  岩 田 佳 久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007601
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209225
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 書き込み時の電流を低減し、記憶セルの高密度化を実現することを可能にする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子32と、この磁気抵抗効果素子の一端と電気的に接続される電極30とを有する記憶セルがマトリクス状に配列された記憶セルアレイと、記憶セル内の磁気抵抗効果素子に情報を書き込む際に選択されて所定の電流が流れる書き込みワード線20と、磁気抵抗効果素子の他端に電気的に接続され磁気抵抗効果素子に情報を書き込むときおよび磁気抵抗効果素子から情報を読み出すときに選択されてそれぞれ所定の電流が流れるビット線36と、電極30と書き込みワード線20とを電気的に絶縁する第1絶縁膜24と、ビット線36と電極30とを電気的に絶縁する第2絶縁膜28と、を備え、第1絶縁膜は、第2絶縁膜に比べて熱伝導率が高いように構成した。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の一端と電気的に接続される電極とを有する記憶セルがマトリクス状に配列された記憶セルアレイと、前記記憶セル内の磁気抵抗効果素子に情報を書き込む際に選択されて所定の電流が流れる書き込みワード線と、前記磁気抵抗効果素子の他端に電気的に接続され前記磁気抵抗効果素子に情報を書き込むときおよび前記磁気抵抗効果素子から情報を読み出すときに選択されてそれぞれ所定の電流が流れるビット線と、前記電極と前記書き込みワード線とを電気的に絶縁する第1絶縁膜と、前記ビット線と前記電極とを電気的に絶縁する第2絶縁膜と、を備え、前記第1絶縁膜は、第2絶縁膜に比べて熱伝導率が高いことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-272188   出願人：キヤノン株式会社