特許
J-GLOBAL ID:200903014709990230
スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-057549
公開番号(公開出願番号):特開平8-007235
出願日: 1995年03月16日
公開日(公表日): 1996年01月12日
要約:
【要約】【目的】 改善されたスピン・バルブ磁気抵抗(SVMR)センサを提供する。【構成】 SVMRセンサは従来の単層ピン止め層の代わりに、ピン止め強磁性層として自動ピン止め積層層を使用する。この積層層が「自動ピン止め」されるため、強バイアス層または交換バイアス層は必要ない。自動ピン止め積層層は薄い反強磁性(AF)結合フィルムを横切って互いに反強磁性結合された少なくとも2枚の強磁性フィルムを有している。この積層層の2枚の強磁性フィルムが逆平行に整合された磁気モーメントを有しているので、2枚の強磁性フィルムの厚さをほぼ同一とすることによって、これら2つの磁気モーメントを本質的に打ち消すことができる。
請求項(抜粋):
非磁性体のスペーサ層によって分離された強磁性体材料の第1および第2の層とを含み、強磁性体材料の前記第1層の磁化方向が、磁界が印加されていない強磁性体材料の前記第2層の磁化方向に関して角度をもって配向されており、強磁性体材料の前記第2層が互いに反強磁性結合された第1および第2の強磁性フィルムと、2枚の強磁性フィルムを分離する反強磁性結合フィルムとを含むスピン・バルブ磁気抵抗素子において、該素子が第2の強磁性層の磁化をピン止めするための強バイアス層または交換バイアス層を含んでいないことを特徴とするスピン・バルブ磁気抵抗素子。
IPC (4件):
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/08
, H01L 43/08
引用特許:
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