半導体装置及びそれを使った電力変換装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178174
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】高耐圧かつ低オン電圧でかつ作り易いIGBTを得る。【解決手段】コレクタ側からエミッタ側に向って少なくともp+n-pn+構造を有するIGBTにおいて、n- 層とp層の間にn- 層よりも高濃度のn層を形成する。【効果】n層がホールのバリアとなり、n- 層中にホールが蓄積されるためオン電圧が低減される。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有する半導体基体と、該基体内に位置する第1導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に位置する第2導電形の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域内に伸び、前記第2の半導体領域のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する複数個の第2導電形の第3の半導体領域と、該第3の半導体領域内に位置する第1の導電形の第4の半導体領域と、該第4の半導体領域内に位置する第2の導電形の第5の半導体領域と、前記第2,第3,第4及び第5の半導体領域の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、さらに該絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第4の半導体領域と第5の半導体領域に低抵抗接触したエミッタ電極と、前記第1の半導体領域に低抵抗接触したコレクタ電極とを有し、前記第3の半導体領域のシートキャリア濃度が1×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体装置。

FI (5件)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 653 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-115873
特開昭61-150378
特開昭63-299279

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