特許
J-GLOBAL ID：200903077274248007
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140561
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326486
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の飽和電圧を低減する。【解決手段】pチャネル領域4とnベース層3との境界の少なくとも一部にnベース層3と同じ導電型で、より高不純物濃度の高濃度領域11を設ける。これにより、チャネル長を短縮し、また接合型FET効果を抑制する。pチャネル領域4とnベース層3との境界の全面に設けても良い。
請求項（抜粋）：
第一導電型ベース層と、その第一導電型ベース層の一方の側の表面層に選択的に形成された第二導電型チャネル領域と、その第二導電型チャネル領域の表面層に選択的に形成された第一導電型エミッタ領域と、第一導電型ソース領域と第一導電型ベース層とに挟まれた第二導電型チャネル領域の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極層と、そのゲート電極層に接触して設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜に覆われない第二導電型チャネル領域と第一導電型エミッタ領域との表面に共通に接触するエミッタ電極と、第一導電型ベース層の他方の側の表面に形成された第二導電型コレクタ層と、その第二導電型コレクタ層の表面に設けられたコレクタ電極とを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、第二導電型チャネル領域と第一導電型ベース層との間の少なくとも一部に、第一導電型ベース層より不純物濃度の高い第一導電型高濃度領域が形成されていることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 655 A
