特許

J-GLOBAL ID：200903014754165894

半導体装置

発明者： 五十嵐 初日出 ,  ▲高▼山 茂 ,  松浦 佳弘 ,  永石 初弘
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155824
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008233
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】半導体装置から電磁放射される周期スペクトル高調波を低減する。【構成】チップ内の電源および接地配線を次の2組に分けて構成されている。一方は、内部回路用の電源端子1とその配線5,内部回路用の接地端子2とその配線6から構成され、もう一方は、入力端子をプルアップまたはプルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段とを含む出力回路用の電源端子3とその配線7,出力回路用の接地端子4とその配線8から構成されている。

請求項（抜粋）：

周期パルス信号を発生または出力する回路と前記周期パルス信号により動作する回路とを内部回路に有する半導体装置において、入力端子をプルアップまたはプルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段とを含む出力回路および前記内部回路が、別々の電源および接地配線ならびに電源および接地端子をそれぞれ持つことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/58

FI (3件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 23/56 Z ,  H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭63-260145
  
• 特開昭59-169166
  
• 特開平4-367266
  
• 特開昭63-205928
  
• MOS型半導体回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320352   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平3-072666