特許

J-GLOBAL ID：200903014772793231

太陽電池およびその製造方法

発明者： 佐藤 琢也 ,  根上 卓之 ,  林 茂生 ,  橋本 泰宏 ,  島川 伸一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058891
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339081
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体を用いた特性および信頼性が高い太陽電池、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性の基体11と、基体11の一主面11a上に形成された第1の絶縁層12aと、基体11の他主面11b上に形成された第2の絶縁層12bと、第1の絶縁層11aの上方に配置された光吸収層14とを備え、光吸収層14が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体からなる。

請求項（抜粋）：

導電性の基体と、前記基体の一主面上に形成された第1の絶縁層と、前記基体の他主面上に形成された第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上方に配置された光吸収層とを備え、前記光吸収層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体からなる太陽電池。

Fターム (7件)：

5F051AA10 ,  5F051BA17 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051EA11 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-116986
  
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-156608   出願人：本田技研工業株式会社
• 薄膜太陽電池の製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-513835   出願人：ノルディックソーラーエナジイアクチボラゲット