薄膜太陽電池の製法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513835
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512096
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】太陽電池の電気的バック接点をなす金属層(2)を含む構造体にセレン化銅インジウム(CuInSe2)(3)を1回の製造工程で被覆し、このバック接点が基体(1)上に被覆されている薄膜太陽電池の製法。本発明はCuInSe2層(3)を被覆する前にアルカリ金属含有層(6)を構造体上に形することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

太陽電池の電気的バック接点をなす金属層(2)を含む構造体にセレン化銅インジウム(CuInSe2)(3)を1回の製造工程で被覆し、このバック接点が基体(1)上に被覆されている薄膜太陽電池の製法において、CuInSe2層(3)を被覆する前にアルカリ金属含有層(6)を構造体上に形成することを特徴とする、上記製法。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-320381
光起電装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-164763 出願人：富士電機株式会社
特開平2-094669

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