特許
J-GLOBAL ID：200903014840002914
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314943
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】イオンビーム電流量測定部2より発生するごみがウェハ3に付着すること無くし、イオンビーム電流量測定部2の交換回数を減らし、測定部の交換ミスによるイオンビーム量の設定不良を無くし、かつメンデナンスに要する労力と時間を低減する。【構成】イオンビーム1が通過するチャンバからイオンビーム電流量測定部2を退避させるとともにバルブ8を介してイオンビーム電流量測定部を包み収納する収納室と、この収納室にバルブ10を介して窒素ガスを導入する窒素ガス供給部12とバルブ9を介して窒素ガスを排気するポンプ11を設け、イオンビームをウェハ3に注入するときにイオンビーム電流量測定部2を、イオンビームが影響の受けないように退避させ、バルブ8によってイオンビーム電流量測定部2を隔離し、イオンビーム電流量測定部2のごみを装置外に排出し、バルブ8によってチャンバより仕切ることにより収納室だけを大気にしメンテナンスが出来るようにしている。
請求項（抜粋）：
イオンビームが通過するとともにイオンが注入される半導体基板を収納するチャンバと、前記イオンビームを収集しイオンビーム電流量を測定するイオンビーム電流量測定部と、前記ウェハにイオン注入時にこのイオンビーム電流量測定部を前記チャンバから退避させ収納する収納室と、この収納室と前記チャンバとを仕切るバルブと、前記収納室を真空排気する手段とを備えることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, H01J 37/04
, H01L 21/265
