特許

J-GLOBAL ID：200903014842406753

半導体基板の表面処理用組成物および表面処理方法

発明者： 中村 彰信 ,  長谷 潮
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026070
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217215
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 アルカリ性溶液を用いた半導体基板の表面処理において、金属不純物の基板表面への付着を防止すると共に、酸化膜の形成を防止し、基板表面の微粒子汚染を効果的に除去する表面処理方法を提供する。【解決手段】 アンモニアと、特定の分子構造を有する界面活性剤と、特定の分子構造を有するキレート化剤とを含むアルカリ性水溶液を用いて半導体基板を表面処理する。例えば、界面活性剤にはポリオキシエチレングリコール系の非イオン性界面活性剤を用い、キレート化剤にはポリアミノカルボン酸系化合物を用い、洗浄の際に当該組成物に周波数800kHz以上の超音波を印加する。

請求項（抜粋）：

(a)アンモニアと、(b)下記一般式(1)R-O-(CmH2mO)n-X ...(1)(式中のRは炭化水素基、Xは水素原子または炭化水素基、mおよびnは正の数をそれぞれ示す)で示されるポリオキシエチレングリコール系非イオン性界面活性剤と、(c)キレート化剤としてポリアミノカルボン酸系化合物と、(d)水とからなることを特徴とする半導体基板の表面処理用組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 642 ,  B08B 3/08 ,  C11D 1/72 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/33

FI (6件)：

H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 642 E ,  B08B 3/08 Z ,  C11D 1/72 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/33

Fターム (19件)：

3B201AA03 ,  3B201BB05 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB94 ,  3B201CC01 ,  3B201CC21 ,  4H003AC11 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003DC04 ,  4H003EA23 ,  4H003EB13 ,  4H003EB16 ,  4H003EB19 ,  4H003FA15 ,  4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-018994   出願人：森田化学工業株式会社
• 洗浄処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152834   出願人：和光純薬工業株式会社