特許
J-GLOBAL ID：200903014859594170

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
木本 匡彦

木本 匡彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221945
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065220
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 光の外部取り出し効率を改善するため、化合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くする安価な構造とその製造方法を得ること。【解決手段】 透光性封止材料による封止構造が2重構造であり、且つ、化合物半導体発光素子の屈折率N1と、化合物半導体発光素子に接する第1の透光性封止材料の屈折率N2と、更にその外側を封止する第2の透光性封止材料の屈折率N3との間に、N1>N2>N3>1の関係を有し、且つ、第1の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
化合物半導体発光素子を透光性封止材料により封止してなる半導体発光装置において、該透光性封止材料による封止構造が2重構造であり、且つ、該化合物半導体発光素子の屈折率N1と、化合物半導体発光素子に接する第1の透光性封止材料の屈折率N2と、更にその外側を封止する第2の透光性封止材料の屈折率N3との間に、N1>N2>N3>1の関係を有し、且つ、第1の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/56 J ,  H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-244687
  • 特開昭62-022491
  • 特開昭63-129680
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