不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053010
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】装置をクリーニングするために装置の稼働率の低下や健康上の問題がなく、かつ装置を簡単にクリーニングすることが可能な不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】チャンバ11に、不純物含有ガス供給部102Bと接続された不純物含有ガスの導入口と、不純物含有ガスを用いてイオン注入し、或いはドーピングし、又はその上に成膜する被処理層を保持する基板保持具12bと、不純物含有ガスの流れの向きに従って基板保持具12bよりも上流に設けられた、水分含有ガス供給部102Cと接続された水分含有ガスの導入口と、水分含有ガスの導入口から基板保持具12bに至る間に設けられた、水分含有ガスをプラズマ化する第1のプラズマ生成手段12a,12b,16とを備えている。

請求項（抜粋）：

不純物含有ガスを供給する不純物含有ガス供給部と、水分含有ガスを供給する水分含有ガス供給部と、前記不純物含有ガス供給部と接続された不純物含有ガスの導入口と、前記不純物含有ガスを用いてイオン注入し、或いはドーピングし、又はその上に成膜する被処理層を保持する基板保持具と、前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記基板保持具よりも上流に設けられた、前記水分含有ガス供給部と接続された水分含有ガスの導入口と、前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記水分含有ガスの導入口から前記基板保持具に至る間に設けられた、前記水分含有ガスをプラズマ化する第1のプラズマ生成手段とを備えたチャンバとを有することを特徴とする不純物処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/265 F , H01L 21/265 603 C

Fターム (17件)：

5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045AA20 , 5F045AC16 , 5F045AC19 , 5F045AE21 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EE03 , 5F045EF05 , 5F045EH09 , 5F045EH14 , 5F045EH17 , 5F045HA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

クリーニング方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-173529 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232572 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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