半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：有我軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097185
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、反応室側壁部だけでなく反応室角部やシャワー上部、及びサセプタ下部や排気部分の炭素膜も除去して、反応室内の炭素膜を略完全に除去することができ、その後の成膜時のパーティクルの発生を抑えて、良好な膜質の炭素膜を得ることができることを目的とする。【構成】反応室内に成膜法で堆積した炭素膜を、該炭素膜を酸化反応させるガスで酸化反応して除去する工程を含む。

請求項（抜粋）：