特許
J-GLOBAL ID:200903014898276933

半導体ウエーハの研磨装置および研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 舘野 公一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-131726
公開番号(公開出願番号):特開平10-296623
出願日: 1997年05月05日
公開日(公表日): 1998年11月10日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエーハをバッチ式にワックスレス法で研磨する場合に、ウエーハ間に多少の厚さのバラツキがあっても、平坦度および平行度に優れた鏡面研磨ウエーハが容易に得られる研磨装置および研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨プレート2、テンプレートブランク7、シート状弾性体4およびバッキングパッド5によりテンプレート11を構成する。ウエーハ挿入保持用の円形貫通孔7aを複数形成したテンプレートブランクを研磨プレートの下面に接着し、樹脂発泡体からなるシート状弾性体を研磨プレート下面の貫通孔7aに臨む部分に接着し、ポリウレタン樹脂多孔質体からなるバッキングパッドを貫通孔7aに挿入し、シート状弾性体の下面に直接接触させて該下面のほぼ全面を被う。ただし、バッキングパッドはシート状弾性体に接着しない。
請求項(抜粋):
研磨プレートに保持されたバッキングパッドの片面に半導体ウエーハを水貼りにより保持し、バッチ式のワックスレス法により研磨する装置において、シート状弾性体が、前記バッキングパッドの反対面に直接接触して、かつ相互に固定されることなく設けられていることを特徴とする半導体ウエーハの研磨装置。
IPC (2件):
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321
FI (2件):
B24B 37/04 E ,  H01L 21/304 321 E
引用特許:
審査官引用 (5件)
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