特許
J-GLOBAL ID：200903014910176958

スズドープ酸化インジウム粉

発明者：
鈴木 一成

鈴木 一成 について

, 
塚口 信芳

塚口 信芳 について

, 
永田 長寿

永田 長寿 について


出願人/特許権者：
DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 和田 憲治 ,  小松 高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006417
公開番号（公開出願番号）：特開2008-110915
出願日： 2008年01月16日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】高い透明域において、より高い導電性を示す透明導電性粉末を提供する。また、従来における強い還元性雰囲気での焼成処理を不要とする好適な製造方法を提供する。【解決手段】Sn含有量がSnO2換算で0.1〜30重量%で、15m2/g以上の比表面積を有し且つ10〜30nmの粒径範囲内の粉体からなり、特定された色調、結晶性、体積固有抵抗率およびゼータ電位を示すスズドープ酸化インジウム粉体とする。また、ドープ用出発スズ原料として特に2価の可溶性スズ化合物を用い、これとインジウム化合物との混合酸性液にアンモニウム炭酸塩を添加・混合し、共沈水酸化物を得、窒素雰囲気にて湿度調整しながら焼成処理を行い、焼成物を粉砕することにより粉体を得る方法とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Sn含有量がSnO2換算で0.1〜30重量%で、色調がxy色度図上で0.280〜0.370のx値および0.316〜0.400のy値であって、0.01molKCl水溶液中で測定したゼータ電位が+5mV以上であり、且つ、200kg/cm2の圧力で成形した圧粉体の状態において体積固有抵抗率が3×101Ωcm以下であることを特徴とするスズドープ酸化インジウム粉。
IPC (2件)：
C01G 15/00 ,  H01B 1/08
FI (2件)：
C01G15/00 B ,  H01B1/08
Fターム (5件)：
5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA23 ,  5G301CD04 ,  5G301CE02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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