特許

J-GLOBAL ID：200903014957532655

半導体装置とその製造方法

発明者： 兵藤 治雄 ,  木村 茂夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311959
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 発火、発煙、変色、変形することがないヒューズ素子を内蔵した半導体装置を提供する。【解決手段】 基板21表面にアイランド部26と電極部27、28を形成し、アイランド部26に半導体チップ29を固着する。電極パッドと電極部27との間をワイヤボンディングし、更に電極部27、28の間を金属細線31で接続してヒューズ素子とする。基板21にはビアホール35が形成されアイランド部26と電極部27、28を各々外部接続端子33、34、35に導出する。基板21の周囲は柱状部23で囲まれて凹部24を形成し、金属細線31を収納する。更に凹部24を密閉するようにその上部を蓋体36で気密する。ヒューズ素子が密閉された凹部24内に収納され、溶断部が樹脂などに接触しないので、発火、発煙、変色、変形することがない。

請求項（抜粋）：

相対向する第1と第2主面を有する基板と、前記基板の第1主面に固着した半導体チップと、前記第1主面に固着したヒューズ素子と、前記半導体チップと前記ヒューズ素子とを中空気密する蓋体と、前記基板の第2主面に形成された外部接続端子と、を具備することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-206532   出願人：株式会社村田製作所