特許

J-GLOBAL ID：200903014961233875

半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 田中 信幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-231918
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049747
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 電極と、その周囲に配置された半導体リングとの間に、堆積物が溜まりにくくする。【解決手段】上面に半導体基板10が載置され、上面の面積が半導体基板10の面積よりも小さい下部電極1と、下部電極1を囲むように配置された半導体リング4と、半導体リング4が載置された第1の支持部材3と、弾性部材5を介して第1の支持部材3を支持する第2の支持部材2とを具備する。半導体リング4は、半導体基板10が下部電極1に載置されていない状態では、上面内周側4aが下部電極1の上面より高い。半導体基板10が下部電極1に載置されるときに、上面内周側4aに半導体基板10の外周部が載置される。そして、弾性部材5は、半導体基板10の重さによって縮み,半導体基板10の中央部を下部電極1に載置させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

プラズマを生成することにより半導体基板を処理する半導体基板処理装置であって、 上面に半導体基板が載置され、前記上面の大きさが前記半導体基板よりも小さい下部電極と、 前記下部電極を囲むように配置され、上面内周側に前記半導体基板の外周部が載置される半導体リングと、 前記半導体リングが載置された第1の支持部材と、 弾性部材を介して前記第1の支持部材を支持する第2の支持部材と、 を具備し、 前記弾性部材は、 前記半導体基板の前記外周部が前記半導体リングの前記上面内周側に載置されていない状態では、該上面内周側を前記下部電極の前記上面より高く位置させ、 前記半導体基板の前記外周部が前記半導体リングの前記上面内周側に載置されたときに、前記半導体基板の重さによって縮むことにより、前記半導体基板を前記下部電極の前記上面に載置させる半導体基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/68 R ,  H01L21/302 101G

Fターム (12件)：

5F004AA13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F031CA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA80 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA13 ,  5F031PA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 静電吸着電極装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-177072   出願人：松下電子工業株式会社