特許
J-GLOBAL ID：200903014979710336
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027219
公開番号（公開出願番号）：特開平10-204258
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：
【要約】【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤を必須成分とし、上記エポキシ樹脂としてグリシジル基を除いた総炭素数とグリシジル基及び水酸基の合計個数との比率が8以上である疎水性エポキシ樹脂を主成分とするもの及びフェノール樹脂として総炭素数と水酸基の合計個数との比率が8以上である疎水性フェノール樹脂を主成分とするもののいずれか一方又は双方を用いると共に、無機質充填剤をエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量100重量部に対して650〜1,100重量部を含有するエポキシ樹脂組成物に、ポリエーテル変性シリコーンを組成物全体の0.02〜1重量%配合したことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、成形性に優れ、ボイド等の欠陥のない成形を可能とし、従ってこれによって封止された半導体装置は信頼性の高いものである。
請求項（抜粋）：
エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤を必須成分とし、上記エポキシ樹脂としてグリシジル基を除いた総炭素数とグリシジル基及び水酸基の合計個数との比率が8以上である疎水性エポキシ樹脂を主成分とするもの及びフェノール樹脂として総炭素数と水酸基の合計個数との比率が8以上である疎水性フェノール樹脂を主成分とするもののいずれか一方又は双方を用いると共に、無機質充填剤をエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量100重量部に対して650〜1,100重量部を含有するエポキシ樹脂組成物に、ポリエーテル変性シリコーンを組成物全体の0.02〜1重量%配合したことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
IPC (5件)：
C08L 63/00
, C08G 59/62
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L 83:04
C08L 63/00 B
, C08G 59/62
, H01L 23/30 R
