特許

J-GLOBAL ID：200903014997342271

ガス処理方法

発明者： 村上 誠志 ,  横井 裕明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-020900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-221671
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 メタルコンタミネーションを低減することができるガス処理方法を提供すること。【解決手段】 被処理基板を収容するためのチャンバー内に被処理基板が存在しない状態でハロゲン元素を含むガスを供給して、チャンバー内壁およびチャンバー内部材の表面に金属膜をプリコートする工程(STEP3)と、次いで、チャンバー内に酸素を含有するガスを導入し、チャンバー内に存在する金属ハロゲン化物を酸化させる工程(STEP7)と、次いで、チャンバー内に被処理基板を搬入し、ハロゲン元素を含むガスを供給して被処理体上に薄膜を形成する工程(STEP12)とを具備する。

請求項（抜粋）：

被処理基板が収容されたチャンバー内にハロゲン元素を含むガスを供給して被処理基板にガス処理を施す工程と、前記チャンバー内に被処理基板が存在していない状態で、前記チャンバー内に酸素を含有するガスを導入し、チャンバー内に存在する金属ハロゲン化物を酸化させる工程とを具備することを特徴とするガス処理方法。

IPC (3件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34

Fターム (11件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プリコート膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構造及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-327059   出願人：東京エレクトロン株式会社