特許

J-GLOBAL ID：200903015008031536

基板処理装置及び基板処理方法

発明者： 神田 裕之 ,  須崎 明 ,  山本 暁 ,  中田 勉
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279240
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098449
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】ルテニウム膜の表面の不動態層(酸化ルテニウム)を除去した後、連続して電解めっきを行うことができ、しかもルテニウム膜の表面の不動態層(酸化ルテニウム)を除去する時のターミナルエフェクトを改善できるようにする。【解決手段】基板上のルテニウム膜をカソードとした電解処理により該ルテニウム膜表面に形成された不動態層を電気化学的に除去する電解処理装置22と、基板上のルテニウム膜の表面に電解銅めっきを行う電解銅めっき装置24と、電解前処理部22と電解銅めっき装置24とを収容する装置フレーム12とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上のルテニウム膜をカソードとした電解処理により該ルテニウム膜表面に形成された不動態層を電気化学的に除去する電解処理装置と、 基板上のルテニウム膜の表面に電解銅めっきを行う電解銅めっき装置と、 前記電解前処理部と前記電解銅めっき装置とを収容する装置フレームとを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  C25F 1/02 ,  C25F 7/00

FI (8件)：

H01L21/288 E ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  C25F1/02 ,  C25F7/00 S

Fターム (41件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB06 ,  4K024CB07 ,  4K024DA02 ,  4K024DA04 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD52 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許出願公開第2004/0069648号明細書
  
• 米国特許第6974531号公報
  

審査官引用 (1件)

• 配線形成方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-317217   出願人：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社