特許
J-GLOBAL ID：200903094785300645
配線形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124214
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。【解決手段】 配線用の微細窪み4を形成した基板の表面にシード層6を形成し、シード層6を無電解めっきによって補強し、しかる後、電解めっきによって更に補強し、微細窪み4の内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。
請求項（抜粋）：
配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、前記シード層を無電解めっきと電解めっきによって補強し、前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込むことを特徴とする配線形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, C25D 5/18
, C25D 7/12
, C25D 17/00
, H01L 21/288
C25D 5/18
, C25D 7/12
, C25D 17/00 B
, H01L 21/288 E
, H01L 21/88 B
4K024AA09
, 4K024AB03
, 4K024AB17
, 4K024BB12
, 4K024CA01
, 4K024CA02
, 4K024CA06
, 4K024CA07
, 4K024CA08
, 4K024CB01
, 4K024CB02
, 4K024CB14
, 4K024CB18
, 4K024DB10
, 4M104BB04
, 4M104DD37
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104HH12
, 4M104HH16
, 5F033HH11
, 5F033MM01
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033PP33
, 5F033XX01
, 5F033XX09
, 5F033XX10
, 5F033XX34
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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