パターン形成方法及び露光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077490
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261428
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができるパターン形成方法及び露光装置を提供する。【解決手段】被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間を離間させて、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間に空間を生じさせる。また、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間には、気体発生装置16から導入管15を介して窒素ガス18を流入させる。さらに、フォトマスク7の光透過部10を介して、被処理部材5上の配線パターン形成部分に対して紫外線13を照射することにより、配線パターン形成部分の撥液膜6が分解して揮発成分が発生する。発生した揮発成分は、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間に放出され、窒素ガス18とともに該空間から排出管19を介して外部へ排出される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたパターン形成材料を含む機能液に対して撥液性を有し、かつ光で揮発する組成物の膜に対し、パターン形成領域の部分に透過部を有するフォトマスクを介して前記基板上のパターン形成領域に前記光を照射して前記パターン形成領域における前記組成物の膜を除去した後、前記基板上に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法において、前記フォトマスクと前記基板とを一定の間隔で離間させて、前記間隔に対して気体を流しながら前記組成物の膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 , G03F 7/38

FI (4件)：

H01L21/30 509 , G03F7/20 521 , G03F7/38 501 , G03F7/38 511

Fターム (20件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA09 , 2H096EA03 , 2H096EA18 , 2H096EA27 , 2H096FA10 , 2H096GA45 , 2H096HA27 , 2H096JA02 , 2H096JA04 , 2H096JA10 , 2H096LA30 , 5F046AA28 , 5F046BA02 , 5F046CA08 , 5F046CB17 , 5F046DA16 , 5F046DA27

引用特許：

出願人引用 (1件)

パターン形成方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317281 出願人：セイコーエプソン株式会社

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