特許
J-GLOBAL ID：200903015019560271
Gスイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066303
公開番号（公開出願番号）：特開平10-260202
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】外部からの微振動による摩耗の影響がなく、摩擦によるオンオフ性能のバラツキもないGスイッチを提供する。【解決手段】 基板2上には、Gスイッチ1を構成する圧電素子12、MOS-FET11、抵抗8、コンデンサ7、ダイオード16が配置されている。Gスイッチ1のマス13にG(加速度)が加わると、圧電素子12に応力が加わる。すると、圧電素子は圧電効果により、起電力が発生する。ダイオード16は、圧電素子12が発生した起電力を整流し、コンデンサ7は、前記整流された電流を充電電流にしてチャージされる。MOS-FET11は、コンデンサ7にチャージされたときの電圧をゲート電圧として印加され、閾値以上のゲート電圧が印加されたとき、導通する。又、放電抵抗8は、コンデンサ7にチャージされた電荷を放電し、MOS-FET11のオン時間を調整する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた圧電素子と、前記圧電素子の上に接合した慣性質量体と、同基板上設けられ、前記圧電素子が発生した起電力を整流するダイオードと、前記基板上に設けられ、前記整流された電流を充電電流にしてチャージされるコンデンサと、前記基板上に設けられ、コンデンサにチャージされたときの電圧をゲート電圧として印加され、閾値以上のゲート電圧が印加されたとき、導通するMOS-FETと、前記基板上に設けられ、コンデンサにチャージされた電荷を放電し、前記MOS-FETのオン時間を調整する放電抵抗とを備えたGスイッチ。
引用特許：
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